用半導體硅集成電路工藝制備壓力傳感器已有30多年歷史了,隨著市場需求其每年以20%的速度增長,競爭十分劇烈,但仍存在以下問題迫切需要解決,并應引起注意:
(1)電阻非線性問題突出。力敏電阻依靠p-n結與襯底隔離,在P區(qū)側的耗盡層寬度與外加電壓有關,故電阻條的有效導電厚度隨外加電壓而變化,表現(xiàn)為非線性,并直接導致零點的電漂移。
(2)零點電漂移。壓力傳感器的特性指標除眾所周知的幾個之外,我們在上百次對國內外不同品種的壓力傳感器進行測定時,均發(fā)現(xiàn)了零點電漂移現(xiàn)象,在國際上我們是領先觀察到并給予定義的。零點電漂移影響壓力傳感器的測量精度,使靈敏度大大降低。
(3)熱零點漂移與漏電問題。熱零點漂移是影響壓力傳感器性能的重要指標,受到廣泛重視。國際上認為熱零點漂移僅取決于力敏電阻的不等性及其溫度非線性,但我們認為熱零點漂移還與力敏電阻的反向漏電有關,對該理論作出了重要補充,還指出多晶硅可以吸除襯底中的重金屬雜質,從而減小力敏電阻的反向漏電、改善熱零點漂移,提高傳感器。
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